近几年,InGaN基LED已经得到了迅猛的发展,被广泛用于显示、照明、医疗、科研等等领域。然而,与远景目标相比,InGaN基LED的发光效率仍然需要很大的提高。在众多方法中,利用金属纳米颗粒产生的局域表面等离激元提高LED的内量子效率和光引出效率成为一个研究热点。本文制备了具有表面纳米多孔结构的表面等离子体耦合增强LED并研究了其发光增强机制,其不仅在InGaN基LED领域有良好的应用前景,而且在表面等离激元耦合发光的机理研究上有重要的理论探索意义。本文制备了镍纳米点模板和镍纳米多孔模板,研究了影响镍纳米模板形貌的因素。利用镍纳米点模板制备了InGaN/GaN量子阱纳米柱并研究了干法刻蚀对InGaN/GaN量子阱内量子效率的影响。进一步利用镍纳米多孔模板在优化的干法刻蚀条件下制备了表面等离激元耦合增强LED,研究了表面粗化增强原理和表面等离激元耦合增强机制。