考察了聚二甲基硅氧烷(Po lydimethylsiloxane, PDM S) 预聚体与固化剂间的配比、固化温度及固化时间对PDM S 芯片封接强度的影响, 得出PDM S 芯片封接的最佳条件基片和盖片所用PDM S 预聚体与固化剂质量配比分别为10∶1 与5∶1, 固化温度为75 ℃, 固化时间分别为35～ 50m in 和25～ 40m in, 封接后继续加热60 m in. 在该条件下封接制作的微芯片历经半年50 多次的分析、冲洗及抽液后未见明显损坏, 足以满足一般分析任务的要求, 并将芯片成功用